过热保护的英文缩写是OTP。开关电源过热保护电路的基本原理如下图所示。这里的稳压管VDZ实际上是利用硅晶体管发射结(E-B)的反向击穿电压作基准电压UREF的。此法能获得5.8~7V基准电压值,该基准电压具有正的温漂,发射结反向击穿电压的温度系数βT~+3.5mV/℃,即环境温度每升高1℃,UREF大
约增加3.5mV。NPN型晶体管VT作温度传感器使用。R1和R2为基极偏置电阻,将VT放置在靠近功率级(即调整管)的位置,以便感知调整管的温度。NPN型晶体管的发射结电压UREF具有负的温度系数,αΤ~一2.1mV/℃,即环境温度每升高1℃,UREF就下降2.1mV。常温下由于UREF远低于NPN管的开启电压,因此VT截止。若由于某种原因(过载或环境温度升高),使芯片温度升到最高结温(TjM)时,VT导通,功率级驱动电流就被VT分流,使负载电流减少甚至完全被切断,从而达到了过热保护之目的。

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